作 者:浙江正泰太阳能科技有限公司  ■ 刘石勇 * 何胜 单伟


      刘石勇 :博士、高级工程师,主要从事晶体硅光伏组件技术方面的研究


  摘  要:背钝化技术可以显著提升太阳电池的效率,但会使电池存在较大的光致衰减。该文系统研究 了硅片种类和氢钝化技术对量产多晶硅背钝化太阳电池的光致衰减特性的影响,结果显示, 掺 Ga和 B-Ga共掺硅片可以显著抑制多晶硅背钝化太阳电池的光致衰减,通过电注入诱导氢 钝化技术可进一步改善电池的光稳定性。因此,在量产中实现B-Ga共掺硅片或掺B 硅片与 电注入处理技术相结合的方式都可以较好地解决多晶硅背钝化太阳电池光致衰减过大的问题。  


  关键词:太阳电池;背钝化;光致衰减 (LID)


  在目前所有的高效晶体硅太阳电池技术中, 背钝化 (Passivated Emitter and Rear Contact, PERC) 技术与常规工艺的电池生产线兼容性高, 生产线改造成本低,效率提升效果明显,是近年 来最具性价比、被工业化大规模推广的技术。 但是,背钝化太阳电池面临一个较大的技术难 题——光致衰减 (LID)较大。由于背钝化太阳电 池采用双面钝化结构,大幅降低了表面复合速率, 使电池效率得到了提升,但电池效率受体寿命降 低的影响将增大,因此,LID导致的体寿命降低 将会对电池效率产生致命的影响。此前,LID作 为影响晶体硅太阳电池稳定发电的最重要因素, 一直未得到良好地解决,如今,背钝化太阳电池 相比常规工艺的晶体硅太阳电池的LID更加严 重。因此,改善 LID 情况已成为背钝化太阳电池 能否实现产业化推广的关键。寻找可有效抑制背 钝化太阳电池 LID 的措施,仍是研究人员和产业界都非常关心的一个热点问题。



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2019年05月31日

《PERC 双面单晶硅光伏组件 应用技术与案例分析》《太阳能》杂志2019年4月刊发表论文摘要
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